合肥电子储存环上新旧高频腔的尾场及耦合阻抗的计算 |
| |
作者姓名: | 徐宏亮 王琳 刘金英 孙葆根 李为民 何多慧 |
| |
作者单位: | 中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029 |
| |
基金项目: | 国家 973前期预研专项基金资助课题 (2 0 0 1CBB0 1 0 0 0 ),国家 863计划项目资助课题 |
| |
摘 要: | 合肥800MeV电子储存环的二期升级工程正在进行,其中高频腔的改造和加工将要完成,由于原有高频腔存在较多不合理因数,将要被新腔所替换。为了充分估计在将来运行时,高频腔的耦合阻抗对储存高流强的影响,需要对新旧高频腔宽带耦合阻抗进行比较计算。用电磁场计算软件MAFIA对高频腔的耦合阻抗及电子束在此结构中产生的尾场进行了计算,结果说明旧高频腔的耦合阻抗比新高频腔小。
|
关 键 词: | 尾场 宽带耦合阻抗 高频腔 |
文章编号: | 1001-4322(2003)02-0187-04 |
收稿时间: | 2002-03-27 |
修稿时间: | 2002-03-27 |
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《强激光与粒子束》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《强激光与粒子束》下载免费的PDF全文 |
|