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合肥电子储存环上新旧高频腔的尾场及耦合阻抗的计算
作者姓名:徐宏亮  王琳  刘金英  孙葆根  李为民  何多慧
作者单位:中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029
基金项目:国家 973前期预研专项基金资助课题 (2 0 0 1CBB0 1 0 0 0 ),国家 863计划项目资助课题
摘    要: 合肥800MeV电子储存环的二期升级工程正在进行,其中高频腔的改造和加工将要完成,由于原有高频腔存在较多不合理因数,将要被新腔所替换。为了充分估计在将来运行时,高频腔的耦合阻抗对储存高流强的影响,需要对新旧高频腔宽带耦合阻抗进行比较计算。用电磁场计算软件MAFIA对高频腔的耦合阻抗及电子束在此结构中产生的尾场进行了计算,结果说明旧高频腔的耦合阻抗比新高频腔小。

关 键 词:尾场  宽带耦合阻抗  高频腔
文章编号:1001-4322(2003)02-0187-04
收稿时间:2002-03-27
修稿时间:2002-03-27
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