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| 导带弯曲对有限深GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中束缚极化子的影响及其压力效应 | |
| 引用本文： | 曹艳娟,闫祖威,石磊.导带弯曲对有限深GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中束缚极化子的影响及其压力效应[J].发光学报,2013,34(9):1128-1134. |
| 作者姓名： | 曹艳娟 闫祖威 石磊 |
| 作者单位： | 1. 内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特,010021 2. 内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021;内蒙古农业大学理学院,内蒙古呼和浩特010018 3. 内蒙古农业大学理学院,内蒙古呼和浩特,010018 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，内蒙古自治区自然科学基金重大项目，内蒙古农业大学科技创新团队 |
| 摘 要： | 采用三角势近似界面导带弯曲,研究了有限高势垒GaN/Ga1-x Al x N球形量子点中束缚极化子的结合能及其压力效应。数值计算了杂质态与声子之间相互作用对结合能的影响,同时与方形势垒进行了比较。结果表明,随着电子面密度的增加,导带弯曲效应增强,束缚极化子结合能逐渐下降。当电子面密度n s=(6.0,8.0)×1011/cm2且量子点半径R>10 nm时,束缚极化子的结合能趋近于一个相同且较小的值。结合能的极化效应主要来自杂质与光学声子相互作用的贡献。 |
| 关 键 词： | 量子点 束缚极化子 电子面密度 |
Effect of Band Bending on The Bound Polaron in A GaN/Ga1-xAlxN Spherical Finite-potential Quantum Dot Under Pressure |
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| CAO Yan-juan , YAN Zu-wei , SHI Lei.Effect of Band Bending on The Bound Polaron in A GaN/Ga1-xAlxN Spherical Finite-potential Quantum Dot Under Pressure[J].Chinese Journal of Luminescence,2013,34(9):1128-1134. | |
| Authors: | CAO Yan-juan YAN Zu-wei SHI Lei |
| Institution: | CAO Yan-juan;YAN Zu-wei;SHI Lei;School of Physics Science and Technology,Inner Mongolia University;College of Science,Inner Mongolia Agricultural University; |
| Abstract: | |
| Keywords: | quantum dot the bound polaron electron areal density |
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