| 脉冲激光沉积(PLD)法生长高质量ZnO薄膜及其发光性能 |
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| 作者姓名： | 边继明 杜国同 胡礼中 李效民 赵俊亮 |
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| 作者单位： | 1.吉林大学电子科学与工程学院, 集成光电子国家重点实验室, 吉林, 长春, 130023;2.大连理工大学物理系, 三束材料改性国家重点实验室,辽宁 大连,116024;3.中国科学院上海硅酸盐研究所, 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室 上海,200050 |
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| 基金项目： | 大连理工大学优秀青年教师培养基金 |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌。优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀。室温光致发光(PL)谱分析结果表明,随着薄膜生长时O2分压的增大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰之比显著增强,表明薄膜的结晶性能和化学计量比都有了很大的改善。O2分压为20Pa时所生长的ZnO薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量。
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 脉冲激光沉积 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-7032（2006）06-0958-05 |
| 收稿时间： | 2005-12-20 |
| 修稿时间： | 2006-02-23 |
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