| 超低介电常数介孔氧化硅薄膜的制备及其表征 |
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| 引用本文： | 袁 昊,李庆华,沙 菲,解丽丽,田 震,王利军.超低介电常数介孔氧化硅薄膜的制备及其表征[J].无机化学学报,2007,23(9):1587-1592. |
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| 作者姓名： | 袁 昊 李庆华 沙 菲 解丽丽 田 震 王利军 |
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| 作者单位： | 1. 上海第二工业大学环境工程系,上海,201209
2. 上海纳米材料检测中心,上海,200237 |
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| 基金项目： | 上海市浦江人才计划;国家自然科学基金;上海教委重点基金;上海市重点学科建设项目 |
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| 摘 要： | 研究了以正硅酸乙酯(TEOS)和甲基三乙氧基硅烷(MeSi(OEt)3)为混合硅源，十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂，采取旋涂技术，在硅晶片表面制备出二氧化硅透明薄膜，再经过正硅酸乙酯(TEOS)蒸汽孔壁强化后采用线性升温焙烧法脱除薄膜孔道内的模板剂，制备出具有超低介电性能的氧化硅薄膜。使用FTIR、XRD和SEM对样品进行了结构表征，并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数(k)，纳米硬度计测量薄膜的弹性模量。介孔氧化硅薄膜在常温常湿条件下存放15 d后，介电常数
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| 关 键 词： | TEOS蒸汽 甲基化 介孔氧化硅薄膜 超低介电常数 |
| 文章编号： | 1001-4861（2007）09-1587-06 |
| 修稿时间： | 2007-05-11 |
Synthesis of Mesoporous Thin Silica Films with Ultra Low Dielectric Constant |
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| YUAN Hao,LI Qing-Hu,SHA Fei,XIE Li-Li,TIAN Zhen and WANG Li-Jun.Synthesis of Mesoporous Thin Silica Films with Ultra Low Dielectric Constant[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2007,23(9):1587-1592. |
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| Authors: | YUAN Hao LI Qing-Hu SHA Fei XIE Li-Li TIAN Zhen and WANG Li-Jun |
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| Institution: | 1.Department of Environmental Engineering, Shanghai Second Polytechnic University, Shanghai 201209;2.Shanghai Testing Center of Nanometer Materials, Shanghai 200237 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TEOS treatment methyl-functionalzied mesoporous silica film ultra-low k |
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