| 氢化非晶硅氧薄膜微结构 |
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| 引用本文： | 王永谦,廖显伯,刁宏伟,程文超,李国华,陈长勇,张世斌,徐艳月,陈维德,孔光临.氢化非晶硅氧薄膜微结构[J].中国科学A辑,2002,33(6):531-537. |
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| 作者姓名： | 王永谦 廖显伯 刁宏伟 程文超 李国华 陈长勇 张世斌 徐艳月 陈维德 孔光临 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所 凝聚态物理中心 表面物理国家重点实验室 ,北京 100083 ,中国;(2)中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室 ,北京 100083 ,中国 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 69976028, 29890217)和基础研究国家重点发展计划(批准号: 2000028201)资助项目 |
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| 摘 要： | 以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧(a-SiOx∶∶H)薄膜的微结构及键构型. 研究表明, 在0.52≤x≤1.58的氧含量范围内，a-SiOx∶∶H薄膜成分和结构不是均一的，依赖于局域键构型氧化程度的不同，大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分，即Si, Si2O(∶H), SiO(∶H), Si2O3(∶H)和SiO2. 其中的Si相以非氢化的非晶硅(a-Si)颗粒形式存在，随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在. 提出一种多壳层模型来描述a-SiOx∶H薄膜的结构，认为a-SiOx∶H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O(∶H), SiO(∶H), Si2O3(∶H)和SiO2壳层所包围. 随薄膜氧含量x的增加，各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变.
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| 关 键 词： | 微结构 键构型 a-SiOx∶H |
| 收稿时间： | 2001-10-28 |
| 修稿时间： | 2001年10月28 |
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