| 带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究 |
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| 作者姓名： | 雷达 曾乐勇 夏玉学 陈松 梁静秋 王维彪 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室,长春,130033;中国科学院研究生院,北京,100049
2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,长春,130033
3. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室,长春,130033 |
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| 摘 要： | 场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k1{N2·(L-d1)2+［1/k1+(L-d1)］2}1/2,且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d1表示阴极与栅极间距.
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| 关 键 词： | 纳米线 冷阴极 场增强因子 场发射 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(11)/6617-06 |
| 收稿时间： | 2007-01-17 |
| 修稿时间： | 2007-04-05 |
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