| 气相助剂辅助绝缘衬底上石墨烯生长：现状与展望 |
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| 引用本文： | 刘若娟,刘冰之,孙靖宇,刘忠范.气相助剂辅助绝缘衬底上石墨烯生长：现状与展望[J].物理化学学报,2023,39(1):2111011-0. |
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| 作者姓名： | 刘若娟 刘冰之 孙靖宇 刘忠范 |
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| 作者单位： | 1 北京大学纳米化学研究中心, 北京分子科学国家研究中心, 北京大学化学与分子工程学院, 北京 1008712 北京石墨烯研究院, 北京 1000953 苏州大学能源学院, 苏州大学能源与材料创新研究院, 苏州大学-北京石墨烯研究院协同创新中心, 江苏 苏州 215006 |
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| 基金项目： | the National Key R & D Program of China(2019YFA0708201);the National Natural Science Foundation of China(61527814);the National Natural Science Foundation of China(51702225);the Beijing National Laboratory for Molecular Sciences(BNLMS-CXTD-20200);the Beijing Municipal Science & Technology Commission(Z191100000819004) |
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| 摘 要： | 借助化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)技术在绝缘衬底上直接生长的石墨烯薄膜，在能源存储/转换等领域有着广阔的应用前景。然而，绝缘衬底表面石墨烯的生长呈现成核密度高、畴区尺寸小、生长速率低等特点，获得的石墨烯薄膜往往具有较高的晶界密度和较低的层数均匀度，严重制约着石墨烯基器件性能的发挥。在反应体系中引入气相助剂可有效降低碳源裂解和石墨烯生长的能垒，从而实现石墨烯品质与生长速率的提升。本文综述气相助剂辅助绝缘衬底上石墨烯制备的方法：首先对绝缘衬底上石墨烯的生长行为进行分析；随后着重介绍几类常见的气相助剂辅助石墨烯生长的策略和机理；最后，总结绝缘衬底上制备高品质石墨烯存在的挑战，并对未来的发展方向进行展望。
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| 关 键 词： | 石墨烯 化学气相沉积 绝缘衬底 气相助剂 |
| 收稿时间： | 2021-11-04 |
Gaseous-Promotor-Assisted Direct Growth of Graphene on Insulating Substrates: Progress and Prospects |
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| Ruojuan Liu,Bingzhi Liu,Jingyu Sun,Zhongfan Liu.Gaseous-Promotor-Assisted Direct Growth of Graphene on Insulating Substrates: Progress and Prospects[J].Acta Physico-Chimica Sinica,2023,39(1):2111011-0. |
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| Authors: | Ruojuan Liu Bingzhi Liu Jingyu Sun Zhongfan Liu |
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| Institution: | 1. Center for Nanochemistry, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing 100871, China;2. Beijing Graphene Institute (BGI), Beijing 100095, China;3. College of Energy, Soochow Institute for Energy and Materials InnovationS (SIEMIS), SUDA-BGI Collaborative Innovation Center, Soochow University, Suzhou 215006, Jiangsu Province, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Graphene Chemical vapor deposition Insulating substrate Gaseous-promotor |
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