|
|||||
|
|
| 纳米金属掩膜和离子辐照技术制备高温超导约瑟夫森结 | |
| 引用本文： | 阳运国,张鸣剑,潘军,伍展文,陈莺飞,徐小平,田海燕,李洁,崔大健,林德华,郑东宁.纳米金属掩膜和离子辐照技术制备高温超导约瑟夫森结[J].低温物理学报,2008,30(1):83-86. |
| 作者姓名： | 阳运国 张鸣剑 潘军 伍展文 陈莺飞 徐小平 田海燕 李洁 崔大健 林德华 郑东宁 |
| 作者单位： | 1. 重庆大学数理学院,加底达(美)-重庆大学超导研究所,重庆,400044;中科院物理研究所超导国家重点实验室,北京,100080 2. 中科院物理研究所超导国家重点实验室,北京,100080 3. 重庆大学数理学院,加底达(美)-重庆大学超导研究所,重庆,400044 |
| 摘 要： | 研究了一种利用纳米金属掩膜和离子辐照技术在高温超导YBCO薄膜上制备Josephson结的方法.首先用在YBCO薄膜甩上一层800nm左右的光刻胶(PMMA),继而在光刻胶上用直流磁控溅射的方法镀上一层大约300nm左右的Cr膜,利用紫外曝光和离子刻蚀的方法在YBCO薄膜上形成覆盖有Cr膜的微桥,然后,利用聚焦离子束系统(FIB)在微桥上刻出一个50nm左右的狭缝,最后利用120keV的H2 对狭缝内的材料进行辐照,从而使狭缝部分的材料超导电性减弱,形成类似SNS型的Josephson结. |
| 关 键 词： | 约瑟夫森结 离子辐照 |
| 收稿时间： | 2007-08-28 |
| 修稿时间： | 2007年8月28日 |
HIGH TC JOSEPHSON JUNCTIONS MADE BY METAL MASKED ION IRRADIATION |
|
| YANG Yun-guo,ZHANG Ming-jian,PAN Jun,WU Zhan-wen,CHEN Ying-fei,XU Xiao-ping,TIAN Hai-yan,LI Jie,CUI Da-jian,LIN De-hua,ZHENG Dong-ning.HIGH TC JOSEPHSON JUNCTIONS MADE BY METAL MASKED ION IRRADIATION[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2008,30(1):83-86. | |
| Authors: | YANG Yun-guo ZHANG Ming-jian PAN Jun WU Zhan-wen CHEN Ying-fei XU Xiao-ping TIAN Hai-yan LI Jie CUI Da-jian LIN De-hua ZHENG Dong-ning |
| Abstract: | We have fabricated Josephson junctions in YBCO with microfabrication and ion beam irradiation.A 800nm thick Poly photoresist(PMMA)is deposited on YBCO film firstly,a 300nm thick Cr layer is then deposited by DC magnetron sputtering.A PMMA is deposited and patterned to design microbridge,after optical lithography and ion milling a microbridge formed.Finally Josephson junction(SNS,)with nanometer scale barriers is formed by H2 implantation through a 50 nm wide slit defined by direct milling with a focused ion beam(FIB)in Cr mask. |
| Keywords: | FIB |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |