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| InAs 单量子点中级联辐射光子的关联测量 | |
| 作者姓名： | 李园 窦秀明 常秀英 倪海桥 牛智川 孙宝权 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:90921015)资助的课题. |
| 摘 要： | 利用分子束外延生长InAs单量子点样品,温度为5 K时,测量了单量子点中单、双激子自发辐射的荧光(PL)光谱.研究了单、双激子发光强度随激发功率的变化及对应发光峰的偏振特性和精细结构劈裂.基于Hanbury-Brown Twiss(HBT) 实验,测量了单、双激子间发光光谱的关联函数,证实了其发光过程为级联发射过程.
关键词：
InAs 单量子点
单、双激子
荧光光谱
级联辐射 |
| 关 键 词： | InAs 单量子点 单、双激子 荧光光谱 级联辐射 |
| 收稿时间： | 2010-04-16 |
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