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| 3,3',5,5'-四甲基联苯胺在SnO2:F膜光透电极上的薄层光谱电化学研究 | |
| 作者姓名： | 焦奎 杨涛 牛淑妍 |
| 作者单位： | 1. 青岛科技大学化学与分子工程学院,青岛,266042 2. 中国海洋大学化学化工学院,青岛,266003 3. 青岛科技大学化学与分子工程学院,青岛,266042;中国海洋大学化学化工学院,青岛,266003 |
| 摘 要： | 3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)在不同pH的B-R缓冲溶液中有不同的电氧化行为.文中以自制的SnO2:F膜光透薄层光谱电化学池对TMB的电氧化性质进行了研究.TMB在pH 2.0至pH＜4.0的B-R缓冲溶液中为一步两电子电氧化过程,在pH 4.0～pH＜7.0的B-R缓冲溶液中为分步的两个单电子氧化过程,且在pH 6.5时则先为分步的两个单电子过程,随后其氧化产物进一步转化为偶氮化合物.实验中应用了薄层循环伏安法、薄层循环伏安吸收法、薄层恒电位电解吸收光谱法、单电位阶跃计时吸收光谱法、双电位阶跃计时吸收光谱法、单电位阶跃开路弛豫计时吸收光谱法等技术;测得了在各pH值的B-R缓冲溶液中TMB电氧化相应的克式量电位E0',电子转移数n以及有关的化学反应速率常数. |
| 关 键 词： | 3 3' 5 5'-四甲基联苯胺 SnO2:F膜光透电极 薄层光谱电化学 电氧化 |
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