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| 感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究 | |
| 作者姓名： | 刘峰 孟月东 任兆杏 舒兴胜 |
| 作者单位： | 中国科学院等离子体物理研究所,合肥 230031 |
| 摘 要： | 利用感应耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜,研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响.研究发现：在基片温度≤300℃沉积的ZrN薄膜择优取向为(111);基片温度达到450℃时薄膜出现ZrN(200)衍射峰,ZrN(111)晶面的织构系数明显降低.传统磁控溅射沉积薄膜为柱状结构,当ICP为200 W,基片温度为300℃时沉积薄膜中柱状晶体消失;随着基片温度的升高,N/Zr元素比例降低,并且薄膜的电阻率下降;相对于传统溅射,ICP增强射
关键词：
感应耦合等离子体
磁控溅射
ZrN
微结构 |
| 关 键 词： | 感应耦合等离子体 磁控溅射 ZrN 微结构 |
| 文章编号： | 1000-3290(2008)03-1796-06 |
| 收稿时间： | 2007-04-02 |
| 修稿时间： | 2007-06-06 |
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