| SiC-pn结二极管α粒子辐射效应 |
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| 引用本文： | 牟维兵,龚敏.SiC-pn结二极管α粒子辐射效应[J].强激光与粒子束,2010,22(1). |
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| 作者姓名： | 牟维兵 龚敏 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学 物理学院, 成都 610064;2. 中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900 |
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| 摘 要： | 为了研究6HSiC材料制作的pn结二极管探测器的辐照特性,采用蒙卡程序模拟研究了4.3和1.8MeV能量的α粒子在辐照探测器中的物理过程。介绍了二极管探测器的工艺制作和物理参数,根据其结构建立了仿真模型,利用蒙卡程序进行了α粒子照射的仿真研究。研究结果直观地反映了α粒子在探测器中的输运情况。α粒子在探测器中的辐射效应主要是电离作用,电离产生的电子空穴对形成一定的分布。给出了α粒子在探测器中的电离能量损失分布及二极管探测器的电荷收集效率表达式。
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| 关 键 词： | 6H-SiC 二极管 α粒子 辐射效应 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
Irradiation effect of alpha particles on pn-SiC diode |
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| Mu Weibing,Gong Min.Irradiation effect of alpha particles on pn-SiC diode[J].High Power Laser and Particle Beams,2010,22(1). |
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| Authors: | Mu Weibing Gong Min |
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| Institution: | 1. School of Physics, Sichuan University, Chengdu 610064, China;2. Institute of Electronic Engineering, CAEP, P. O. Box 919-522, Mianyang 621900, China |
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| Abstract: | The mechanism is studied by Monte Carlo method while 1.8 MeV and 4.3 MeV alpha particles irradiating the pn junction 6H-SiC diode. In the first the process and parameters of the diode detector are introduced, and then a simulation model is established according to the structure of the detector. The research results reflect the whole transport process of alpha particles in the detector directly. The main effect of alpha particles is ionization, which produces electron-hole pairs with certain distribution. Th... |
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| Keywords: | 6H-SiC 6H-SiC diode alpha particles irradiation effects |
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