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| LiGaX2(X=S,Se, Te)的电子结构,光学和弹性性质的第一性原理计算 | |
| 作者姓名： | 陈海川 杨利君 |
| 作者单位： | (1)四川大学电子信息学院,成都 610064; (2)西华大学电气信息学院,成都 610039;四川大学电子信息学院,成都 610064 |
| 摘 要： | 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对LiGaX2(X=S, Se, Te)的能带结构、态密度、光学以及弹性性质进行了理论计算. 能带结构计算表明LiGaS2 的禁带宽度为4.146 eV, LiGaSe2 的禁带宽度为3.301 eV, LiGaTe2 的禁带宽度为2.306 eV; 其价带主要由Ga-4p 层电子和X- np 层电子的能态密度决定; 同时也对LiGaX<
关键词：
电子结构
光学性质
弹性性质
LGX |
| 关 键 词： | 电子结构 光学性质 弹性性质 LGX |
| 收稿时间： | 2009-11-04 |
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