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硅酸镓镧单晶的生长、性质及电光应用的研究
引用本文:王继扬,尹鑫,张少军,张怀金,蒋民华.硅酸镓镧单晶的生长、性质及电光应用的研究[J].物理学进展,2011,27(3):344-360.
作者姓名:王继扬  尹鑫  张少军  张怀金  蒋民华
作者单位:山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100
摘    要:硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,langasite,简称LGS)是一种多功能晶体。LGS和石英同属32点群,具有良好的压电和电光性质,本文在综述LGS晶体基本性质的基础上,总结了我们对这种晶体生长和性质的研究工作,测量了LGS晶体电光性质,采取措施消除旋光性影响,首次用其设计制作了电光Q开关,结果表明其效果与DKDP晶体电光Q开关相当;进而开发了高功率高重复频率Q开关,双端面泵浦模式,激光重复频率为50 KHz时,最高输出可以达到12.5瓦,脉宽为46 ns。通过改进晶体生长条件,可获得直径约50 mm,长度为100 mm,重约1000 g的光学级LGS晶体,基本满足晶体电光Q开关应用的要求。

关 键 词:硅酸镓镧晶体  电光性质  电光Q开关  光学级单晶生长
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