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| 原子替位掺杂对单层Janus WSeTe电子结构的影响 | |
| 作者姓名： | 张德贺 周文哲 李奥林 欧阳方平 |
| 摘 要： | 基于第一性原理计算系统地研究了氮族、卤族和3d过渡金属元素(Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co)替位掺杂对单层Janus过渡金属硫族化合物WSeTe电子结构的影响.通过对能带结构、电荷转移以及磁性的分析,发现氮(卤)族原子替位掺杂单层WSeTe会发生本征半导体-p(n)型半导体的转变,Ti,V原子替位掺杂单层WSeTe会... |
| 关 键 词： | 第一性原理计算 Janus WSeTe 替位掺杂 |
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