|
|||||
|
|
| InGaN量子阱的微观特性 | |
| 作者姓名： | 林伟 李书平 康俊勇 |
| 作者单位： | 1.厦门大学物理系, 半导体光子学研究中心,福建 厦门,361005 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 , 福建省自然科学基金 |
| 摘 要： | 采用VASP程序包模拟计算InGaN量子阱的能带,精细展示了量子阱实空间能带结构。计算结果表明,In原子所在区域出现局域束缚态,导带底与价带顶的简并能级发生分裂,同时量子阱沿垂直结面方向存在分立的能级。此外,针对影响能带的In组分波动、能带弯曲等问题进行探讨,以准确描述其电子行为,从而深入系统地了解InGaN/GaN量子阱的电学光学等特性。 |
| 关 键 词： | InGaN 量子阱 VASP 能带结构 |
| 文章编号： | 1000-7032（2007）01-0099-05 |
| 收稿时间： | 2006-08-05 |
| 修稿时间： | 2006-08-052006-10-12 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《发光学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《发光学报》下载免费的PDF全文 | |