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| 金红石型TiO_2中四种点缺陷态研究 | |
| 作者姓名： | 朱海霞 |
| 作者单位： | 盐城师范学院 |
| 摘 要： | 利用第一性原理计算方法研究了金红石型TiO_2中四种缺陷的电子态.这四种缺陷包括氧空位(O_v)、钛空位(Ti_V)、钛间隙(Ti_S)以及氧空位O_v与钛间隙态Ti_S共存态.氧空位的存在导致禁带内施主缺陷能级较浅,而深施主能级与Ti间隙态有关.预测了氧空位更倾向于与钛间隙结合,主要通过钛间隙态的3d电子部分转移到近邻近氧空位的部分形成O_V-Ti_S对缺陷.具有O_v、Ti_S或O_V-Ti_S缺陷的体系都出现间隙态,促进体系出现红外吸收. |
| 关 键 词： | 金红石型TiO2 点缺陷 电子性质 第一性计算 |
| 收稿时间： | 2020-06-06 |
| 修稿时间： | 2020-07-09 |
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