| InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究 |
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| 作者姓名： | 余晨辉 王茺 龚谦 张波 陆卫 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083; (2)中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 |
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| 摘 要： | 运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.
关键词：
压电调制光谱
InAs/GaAs 表面量子点
洛伦兹线形拟合
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| 关 键 词： | 压电调制光谱 InAs/GaAs 表面量子点 洛伦兹线形拟合 |
| 文章编号： | 1000-3290/2006/55(09)/4934-06 |
| 收稿时间： | 2005-09-01 |
| 修稿时间： | 2005-09-012006-03-20 |
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