| 考虑小尺寸效应的Micro-LED驱动结构设计 |
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| 引用本文： | 殷录桥,张雪松,任开琳,张楠,郝茂盛,李春亚,张建华.考虑小尺寸效应的Micro-LED驱动结构设计[J].光学学报,2023(2):210-225. |
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| 作者姓名： | 殷录桥 张雪松 任开琳 张楠 郝茂盛 李春亚 张建华 |
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| 作者单位： | 1. 上海大学微电子学院;2. 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室;3. 上海芯元基半导体科技有限公司 |
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| 基金项目： | 上海市2021年度科技创新行动计划高新技术领域项目（21511101302,20010500100）； |
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| 摘 要： | 设计一款芯片尺寸为300μm的蓝绿光微型发光二极管（Micro-LED）并将其点亮，通过TCAD仿真对芯片尺寸为10、38、100、300μm的Micro-LED进行模拟仿真，探究了Micro-LED的小尺寸效应，发现随着Micro-LED尺寸的减小，开关损耗增加。因此，针对提高小尺寸Micro-LED单点像素的驱动电流密度过程中产生的开关损耗增加的问题，模拟仿真驱动电路驱动Micro-LED的开关特性过程，进行减小开关损耗的研究。利用Sentaurus TCAD软件进行仿真，设计了一台沟道长度为0.18μm的p型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOS）器件，将PMOS器件和Micro-LED器件通过铟凸点进行键合，并对PMOS驱动电路驱动单独Micro-LED像素进行仿真，进一步进行PMOS驱动两个Micro-LED像素的仿真，从而模拟阵列像素驱动的情况，通过比较开关延迟时间判断驱动效果并进行实验验证，发现当PMOS接入限流电阻驱动Micro-LED时，阻值越小，驱动效果越好，而且起到消除浪涌、限流分压的作用，但PMOS直接驱动Micro-LED比加入限流电阻的效果更好，PMOS驱动...
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| 关 键 词： | 光学器件 微型发光二极管 小尺寸效应 PMOS驱动 开关延迟时间 |
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