量子阱渐变层材料及结构对GaN基LED性能的影响 |
| |
引用本文: | 王进军,杨艳莹,白斌辉,徐晨昱.量子阱渐变层材料及结构对GaN基LED性能的影响[J].光学学报,2023(4):165-173. |
| |
作者姓名: | 王进军 杨艳莹 白斌辉 徐晨昱 |
| |
作者单位: | 陕西科技大学电子信息与人工智能学院 |
| |
基金项目: | 2018年陕西省教育厅科研计划专项项目(18JK0103); |
| |
摘 要: | In组分渐变InGaN/GaN量子阱结构可以有效解决晶格失配所带来的LED发光效率降低的问题。采用Silvaco软件建立了In组分渐变量子阱结构数值计算模型,研究了量子阱中渐变层In组分及渐变层厚度对极化电荷密度、载流子浓度及LED功率谱密度的影响。研究结果表明:随着渐变层中In组分的增加,载流子浓度以及极化电荷密度都在增大,但极化电荷密度增幅较小,峰值功率谱密度随着In组分增加的增长幅度逐渐减小;功率谱密度随着渐变层顶层厚度的增加先增大后减小,渐变层非顶层厚度不均匀时的功率谱密度比均匀时的功率谱密度小。
|
关 键 词: | 材料 GaN基LED 量子阱 渐变层 功率谱密度 |
|
|