| 未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构 |
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| 作者姓名： | 李恩玲 郗萌 崔真 程旭辉 徐锐 马德明 刘满仓 王雪文 |
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| 作者单位： | 1. 西安理工大学理学院应用物理系, 陕西 西安 710054;2. 西北大学电子信息工程学院, 陕西 西安 710068 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51042010);陕西省科技攻关计划(2011K07-09);陕西省教育厅自然科学基金(09JK625,2010JK743)资助项目 |
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| 摘 要： | 用密度泛函理论研究直径为9.5Å,15.9Å和22.5Å,未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值;加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.
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| 关 键 词： | 纳米线 H钝化 电子结构 密度泛函理论 |
| 收稿时间： | 2012-05-25 |
| 修稿时间： | 2012-10-31 |
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