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| 氢稀释对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响及薄膜生长机理 | |
| 作者姓名： | 于威 詹小舟 李彬 徐艳梅 李晓苇 傅广生 |
| 作者单位： | 河北大学 物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室, 河北 保定 071002 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(No. 60878040)和河北省自然科学基金(No. E2009000208)资助 |
| 摘 要： | 以SiH4与H2作为前驱气体,采用射频等离子增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅薄膜.利用Raman散射和红外吸收光谱等技术,对不同氢稀释比条件下薄膜的微观结构和键合特性进行了研究.结果表明,随着氢稀释比增加,薄膜的晶化率明显提高,而氢稀释比过高时,薄膜晶化率呈现减少趋势.红外吸收光谱分析表明,纳米晶硅薄膜中氢的键合模式与薄膜的晶化特性密切相关.随着氢稀释比增加,薄膜中整体氢含量和SiH2键合密度明显减少,而在高氢稀释比条件下,氢稀释比增加导致薄膜中SiH2键合密度和整体氢含量增加. |
| 关 键 词： | 纳米晶硅薄膜 晶化率 氢稀释 生长机理 |
| 收稿时间： | 2012-04-12 |
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