| Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的制备和特性研究 |
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| 引用本文： | 赵银女.Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的制备和特性研究[J].光子学报,2014,41(10):1242-1246. |
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| 作者姓名： | 赵银女 |
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| 作者单位： | 鲁东大学教务处, 山东 烟台 264025 |
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| 基金项目： | The National Natural Science Foundation of China(No.10974077);Natural Science Foundation of Shandong Province,China(No.2009ZRB01702) and Shandong Province Higher Educational Science and Technology Program(No.J10LA08) |
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| 摘 要： | β-Ga2O3是一种宽带隙半导体材料,能带宽度Eg≈5.0eV,在光学和光电子学领域有广泛的应用。用射频磁控溅射方法在Si衬底和远紫外光学石英玻璃衬底制备了本征β-Ga2O3薄膜及Zn掺杂β-Ga2O3薄膜,用紫外 可见分光光度计、X射线衍射仪、荧光分光光度计对本征β-Ga2O3薄膜及Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的光学透过、光学吸收、结构和光致发光进行了测量,研究了Zn掺杂和热退火对薄膜结构和光学性质的影响。退火后的β-Ga2O3薄膜为多晶结构,与本征β-Ga2O3薄膜相比,Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的β-Ga2O3(111)衍射峰强度变小,结晶性变差,衍射峰位从35.69°减小至35.66°。退火后的Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的光学带隙变窄,光学透过降低,光学吸收增强,出现了近边吸收,薄膜的紫外、蓝光及绿光发射增强。表明退火后Zn掺杂β-Ga2O3薄膜中的Zn原子被激活充当受主。
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| 关 键 词： | Zn掺杂β-Ga2O3 光学透过 光学带隙 光致发光 |
| 收稿时间： | 2012-04-19 |
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