| 一种含SiO2氧化物玻璃的晶化温度-压力依赖关系 |
| |
| 作者姓名： | 沈中毅 陈立泉 张云 殷岫君 刘勇 王超英 Cros.C. |
| |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,Laboratoire de Chimie du Solide du C.N.R.S.,Universite de Bordeaux I,France |
| |
| 摘 要： | 本文应用DTA及X射线衍射法在常压及高压下对一种含SiO2的锂离子导体玻璃0.3Li2O-0.67SiO2-0.03V2O5加热时的晶化行为进行了研究。该氧化物玻璃的晶化过程分两个阶段。在常压下,第一晶化过程发生在560 ℃附近,析出相为Li2O·2SiO2。对应的晶化温度Tx1随压力的升高发生了急剧的变化。从常压到0.3 GPa,Tx1从560 ℃升高到620 ℃;继续升压时Tx1突然下降,并在0.4 GPa处跌到528 ℃,呈现一个陡峭的峰值。0.4 GPa以上,Tx1随压力的变化则呈常规行为,比较平稳地,大致线性地升高,一直到最高测定压力2 GPa。 本文最后对这些行为的可能原因进行了讨论。
|
| 关 键 词： | 高压力效应 离子导体 非晶态-晶态转变 |
| 收稿时间： | 1990-06-26; |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《高压物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《高压物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
