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杂志ISSN号
极性/非极性半导体异质结构
作者姓名:
蒋维栋 张翔九
作者单位:
复旦大学表面物理实验室(蒋维栋,张翔九),复旦大学表面物理实验室(王迅)
摘 要:
由极性半导体GaAs,GaP 等和非极性半导体Ge,Si等构成的异质结构,为高速集成和光电子集成技术的发展提供了新的机会,同时也为基础物理研究提出了新的课题.本文简要介绍极性/非极性半导体异质结构的制备和特性方面的一些基本问题及其在器件应用方面的发展现状.
关 键 词:
极性半导体 非极性半导体 异质结构
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