| MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性 |
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| 引用本文： | 林秀华.MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性[J].发光学报,2000,21(4):324-329. |
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| 作者姓名： | 林秀华 |
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| 作者单位： | 厦门大学,物理系、化学系固体表面物理化学国家重点实验室,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金!(No .E0 0 0 10 0 1)，中科院上海技术物理所红外物理国家实验室资助课题 |
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| 摘 要： | 评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN／A1GaN双异质结(DH)结构的工艺与特性；从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件(温度、气流束源等)对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明，GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度，气流束源摩尔流量速率。若生长温度太高，引起PL发光谱峰向长波侧移动；GaN缓冲层生长温度必须控制在550℃。高的V／Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中550nm辐射峰产生。为了获得高质量p-A1GaN、GaN层，控制生长温度和以Cp2Mg为杂质源的Mg受主掺杂量，并在N2气氛中800℃快速退火，有助于提高InGaN／AlGaN双异质结辐射复合效率。
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| 关 键 词： | 氮化镓薄膜 InGaN／A1GaN双异质结构 MOCVD技术 掺杂 薄膜生长 发光二极管 生长动力学 金属有机物化学沉积 铟镓氮化合物 铝镓氮化合物 |
| 修稿时间： | 2000-10-20 |
Processing and Characteristics of InGaN/AlGaN Double Heterojunction Structure and of GaN Buffer Layer Grown by MOCVD Techniques |
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| LIN Xiu-hua.Processing and Characteristics of InGaN/AlGaN Double Heterojunction Structure and of GaN Buffer Layer Grown by MOCVD Techniques[J].Chinese Journal of Luminescence,2000,21(4):324-329. |
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| Authors: | LIN Xiu-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaN/AlGaN processing condition LED growth dynam8 |
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