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基于水溶性硅量子点的汞离子荧光传感器
引用本文:郑爱华,王佳慧,吉邢虎,何治柯.基于水溶性硅量子点的汞离子荧光传感器[J].分析科学学报,2018(1).
作者姓名:郑爱华  王佳慧  吉邢虎  何治柯
作者单位:湖北医药学院药学院;生物医学分析化学教育部重点实验室武汉大学化学与分子科学学院;
摘    要:本文基于Hg~(2+)对水溶性硅量子点(Si QDs)的荧光猝灭效应,构建了一种简单、快捷的Hg~(2+)荧光传感器。实验发现,当Si QDs表面的氨基与Hg~(2+)结合形成配合物时,Si QDs的荧光被猝灭,根据荧光猝灭程度与Hg~(2+)的浓度关系,可实现Hg~(2+)的检测。在优化的实验条件下,Si QDs的荧光猝灭程度与Hg~(2+)浓度在5.0×10-8~1.0×10-6 mol/L范围内呈良好的线性关系(R2=0.9978),检出限(3σ)为2.2×10-8 mol/L。在此基础上,借助Hg~(2+)易于与巯基结合形成稳定配合物的原理,选用治疗Hg~(2+)中毒的药品二巯基丙磺酸钠(DMPS)为模型,利用该巯基化合物可使Hg~(2+)猝灭Si QDs的荧光恢复的特性,建立了一种检测DMPS的新方法。

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