耦合腔高频特性的单腔模型研究与应用 |
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引用本文: | 何俊, 黄明光, 郝保良, 等. 耦合腔高频特性的单腔模型研究与应用[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 1931-1935. doi: 10.3788/HPLPB20122408.1931 |
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作者姓名: | 何俊 黄明光 郝保良 刘濮鲲 |
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作者单位: | 1.中国科学院 电子学研究所, 北京 1 00080 |
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摘 要: | 在耦合腔结构的高频特性模拟中,基于准周期边界条件法建立的双腔模型,由于两端电场的边界条件完全相同,导致了伪解的出现。本文建立了单腔仿真模型,消除了伪解存在的边界条件,避免伪解的出现。在保证求解精度的基础上,网格数目减少了 62%,总计算时间缩小了 56%,一次性生成色散曲线和耦合阻抗曲线,提高了色散和耦合阻抗的数据处理效率,为高频结构参数优化提供了更有效的途径。采用单腔仿真模型,模拟分析了各结构尺寸对高频特性的影响。
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关 键 词: | 耦合腔 色散特性 耦合阻抗 电磁仿真 |
收稿时间: | 2011-08-16 |
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