| SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响 |
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| 引用本文： | 邱冲,刘军林,郑畅达,姜乐,江风益.SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响[J].发光学报,2008,29(5). |
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| 作者姓名： | 邱冲 刘军林 郑畅达 姜乐 江风益 |
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| 作者单位： | 1. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047
2. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;晶能光电(江西)有限公司,江西,南昌,330096 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)光电子课题 |
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| 摘 要： | 利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现:经过30mA、85℃、24h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为11.41%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响。
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| 关 键 词： | 蓝光LED GaN 硅衬底 SiN 钝化 光衰 |
The Influence of SiN Passivation Layer to the GaN Based Blue LED on Si Substrate |
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| QIU Chong,LIU Jun-lin,ZHENG Chang-da,JIANG Le,JIANG Feng-yi.The Influence of SiN Passivation Layer to the GaN Based Blue LED on Si Substrate[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(5). |
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| Authors: | QIU Chong LIU Jun-lin ZHENG Chang-da JIANG Le JIANG Feng-yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | blue LED GaN Si substrate SiN passivation luminous decay |
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