二维材料场效应晶体管生化传感器件的研究进展 |
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引用本文: | 寇翠云,罗一语,胡海国,包宇,郭志男,牛利.二维材料场效应晶体管生化传感器件的研究进展[J].分析化学,2024(2):157-165. |
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作者姓名: | 寇翠云 罗一语 胡海国 包宇 郭志男 牛利 |
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作者单位: | 广州大学化学化工学院分析科学技术研究中心,广东省光电传感材料与器件工程技术研究中心,广州市传感材料与器件重点实验室 |
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基金项目: | 广州市科技计划项目(Nos.202201000002,2023A03J0075); |
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摘 要: | 场效应晶体管(Field effect transistor, FET)生化传感器件具有噪声小、功耗低、免标记、易于集成和小型化等优点,在环境监测、食品安全、疾病诊断和临床治疗等领域具有良好的应用前景。二维材料作为新一代FET生化传感器件的沟道材料,具有原子级厚度、高载流子迁移率、高比表面积和可调带隙等特性,可进一步提升FET生化传感器件的性能和拓展器件应用场景,推动FET生化传感器件的快速发展。本文综述了近年来二维材料FET生化传感器件的发展历程和最新进展,分析了二维材料FET生化传感器件的挑战和发展前景,以期为研究人员设计新的生化传感器件提供思路,促进生化传感技术的进一步发展。
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关 键 词: | 生化传感器件 二维材料 场效应晶体管 评述 |
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