| 四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究 |
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| 引用本文： | 卢红亮,徐敏,陈玮,任杰,丁士进,张卫. 四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究[J]. 物理学报, 2006, 55(3) |
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| 作者姓名： | 卢红亮 徐敏 陈玮 任杰 丁士进 张卫 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;上海市科委资助项目 |
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| 摘 要： | ![]()
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
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| 关 键 词： | 密度泛函理论 表面电子结构 |
Geometries and the electronic structures of t-HfO2 (001) surface |
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| Lu Hong-Liang,Xu Min,Chen Wei,Ren Jie,Ding Shi-Jin,Zhang Wei. Geometries and the electronic structures of t-HfO2 (001) surface[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(3) |
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| Authors: | Lu Hong-Liang Xu Min Chen Wei Ren Jie Ding Shi-Jin Zhang Wei |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | t-HfO2(001) |
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