| 开口碳纳米管电子发射场增强因子的研究 |
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| 引用本文： | 施易军,王六定,陈景东.开口碳纳米管电子发射场增强因子的研究[J].人工晶体学报,2008,37(3):734-738. |
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| 作者姓名： | 施易军 王六定 陈景东 |
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| 作者单位： | 西北工业大学理学院应用物理系,西安,710072 |
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| 基金项目： | 西北工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2(2h/ρ+1)/ln16(1+16R2/ρ2)]-1.结果表明:外加电场与纳米管的几何参数会影响其顶端的局域电场,从而影响电子场发射;γ与长厚比h/ρ和径厚比R/ρ有关.特别,当管长h一定时,管壁厚度ρ比管的有效半径R对γ的影响更加显著.
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| 关 键 词： | 开口碳纳米管 电子场发射 场增强因子 |
Investigation of the Electron Emission Field Enhancement Factor for Single Open Carbon Nanotube |
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| SHI Yi-jun,WANG Liu-ding,CHEN Jing-dong.Investigation of the Electron Emission Field Enhancement Factor for Single Open Carbon Nanotube[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(3):734-738. |
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| Authors: | SHI Yi-jun WANG Liu-ding CHEN Jing-dong |
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