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| 应变Si1－xGex/(111)Si空穴有效质量模型 | |
| 作者姓名： | 宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 戴显英 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071 |
| 基金项目： | 国家部委项目(批准号：51308040203,9140A08060407DZ0103, 6139801)资助的课题. |
| 摘 要： | 利用应变Si1-xGex/(111)Si材料价带E(k)-k关系,研究获得了沿不同晶向的空穴有效质量,并在此基础上,建立了空穴各向同性有效质量模型.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si1-xGex/(111)Si材料价带带边空穴有效质量各向异性更加显著,带边空穴各向同性有效质量随Ge组分明显减小.该研究成果可为Si基应变PM
关键词：
1-xGex')" href="#">应变Si1-xGex
空穴有效质量
价带 |
| 关 键 词： | 应变Si1-xGex 空穴有效质量 价带 |
| 收稿时间： | 2009-04-23 |
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