| 掺杂菱形BN片的石墨烯纳米带的电子特性 |
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| 作者姓名： | 马瑞 张华林 |
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| 作者单位： | 长沙理工大学物理与电子科学学院,湖南长沙,410114;长沙理工大学物理与电子科学学院,湖南长沙,410114 |
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| 基金项目： | 湖南省教育厅科研项目（16C0029）;长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室开放基金（20170106）及湖南省重点学科建设项目资助课题 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究掺杂菱形BN片的石墨烯纳米带的电子特性.掺杂使扶手椅型石墨烯纳米带（AGNRs）的带隙增大,不同位置掺杂AGNRs的带隙大小略有差异.在无磁性态,无论是否掺杂,锯齿型石墨烯纳米带（ZGNRs）都为金属.在铁磁态,掺杂使ZGNRs由金属转变为半导体.而处于反铁磁态时,无论是否掺杂,ZGNRs都为半导体,掺杂使其带隙发生改变.掺杂的AGNRs和ZGNRs的结构稳定,掺杂ZGNRs的基态为反铁磁态.掺杂菱形BN片可以有效调控GNRs的电子特性.
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| 关 键 词： | 石墨烯纳米带 菱形BN片 掺杂 |
| 收稿时间： | 2017-12-04 |
| 修稿时间： | 2018-02-01 |
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