| 准一维电子通道中声电电流的理论计算 |
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| 引用本文： | 高宏雷,李玲,高洁.准一维电子通道中声电电流的理论计算[J].物理学报,2004,53(10):3504-3509. |
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| 作者姓名： | 高宏雷 李玲 高洁 |
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| 作者单位： | 四川大学物理科学与技术学院，成都 610064 |
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| 基金项目： | 国家科技部重大基础研究前期研究专项基金(批准号：2002CCA02600)资助的课题. |
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| 摘 要： | 表面声波在GaAs/Al x Ga1-x As异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传 播时，在通道中诱导产生声电电流.采用WKB近似，计算了只有一个电子被量子阱俘获时的声电电流；并在此基础上，详细讨论了表面声波的频率和功率，以及门电压和源漏偏压对声电电流的影响.
关键词：
表面声波
准一维电子通道
量子阱
声电电流
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| 关 键 词： | 表面声波 准一维电子通道 量子阱 声电电流 |
| 收稿时间： | 2003-11-13 |
Calculation of acoustoelectric current in a quasi-one-dimensional electron channel |
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| Gao Hong-Lei,Li Ling and Gao Jie.Calculation of acoustoelectric current in a quasi-one-dimensional electron channel[J].Acta Physica Sinica,2004,53(10):3504-3509. |
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| Authors: | Gao Hong-Lei Li Ling and Gao Jie |
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| Abstract: | An acoustoelectric current is induced by a surface acoustic wave (SAW) launched along the quasi-one-dimensional electron channel defined in a GaAs/Al_xGa_(1-x)As heterostructure by split gates. Using the WKB approximation, the acoustoelectric current is calculated when only one electron is captured in the quantum well. We discussed the effect on acoustoeletric current caused by SAW power, SAW frequency, gate voltage and source-drain bias. |
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| Keywords: | surface acoustic wave quasi-one-dimensional electron channel quantum well acoustoelectric current |
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