射频磁控溅射CaS:TmF3薄膜的电致发光及其激发过程的研究 |
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引用本文: | 孙甲明,钟国柱.射频磁控溅射CaS:TmF3薄膜的电致发光及其激发过程的研究[J].发光学报,1998,19(1):31-35. |
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作者姓名: | 孙甲明 钟国柱 |
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摘 要: | 首次报道了射频磁控溅射CaS:TmF3薄膜的蓝色交流电致发光,电致发光谱包含位于480、653、703和803nm的四组发光峰,分别对应着三价Tm^3+离子的G4→^3H6、G4→^3H4、^3F3→^3H6和^3F4→^3H6的电子跃迁发光。通过对CaS:TmF3粉末的激发光谱的研究,我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致没能量的光子激发下的光的研究,谱的红外/蓝峰的哟度比有较大的不同,
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关 键 词: | 电致发光 硫化钙 氟化铥 磁控溅射 激发过程 |
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