| 高氧空位浓度对金红石TiO2导电性能影响的第一性原理研究 |
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| 作者姓名： | 侯清玉 乌云格日乐 赵春旺 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古工业大学理学院物理系, 呼和浩特 010051;2. 内蒙古化工职业学院化学工程系, 呼和浩特 010071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,教育部“春晖计划”和内蒙古自治区高等学校科学研究项目(批准号:NJZZ13099)资助的课题.*Project supported by the National Natural Science Foundation of China,the Ministry of Education“Spring Sunshine”Plan of the Ministry of Education |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了 纯的和不同高氧空位浓度金红石型TiO2-x (x=0, 0.083, 0.125, 0.167, 0.25)超胞的能带结构分布、态密度分布.同时, 采用局域密度近似+U方法调准了带隙.结果表明, 高氧空位浓度越高, 金红石型TiO2的最小带隙越变窄、电子有效质量越减小, 自由电子浓度越高, 电子迁移率越低、电导率越低.计算结果与实验结果的变化趋势相符合.
关键词：
高氧空位
2')" href="#">金红石型TiO2
电导率
第一性原理
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| 关 键 词： | 高氧空位 金红石型TiO2 电导率 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2012-10-15 |
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