| 等离子体环境下孤立导体表面充电时域特性研究 |
| |
| 作者姓名： | 曹鹤飞 刘尚合 孙永卫 原青云 |
| |
| 作者单位： | 1. 军械工程学院静电与电磁防护研究所, 石家庄 050003;2. 石家庄学院物理系, 石家庄 050035 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,中国博士后科学基金(批准号:2012M521886)资助的课题.*Project supported by the National Natural Science Foundation of China,the China Postdoctoral Science Foundation |
| |
| 摘 要： | 航天器在等离子体环境下的表面充放电受到多种因素影响, 其中充电时间是影响静电放电频次的一个重要因素. 本文从等离子体的微观结构出发, 同时考虑材料参数特性, 在对每个粒子运用力学原理的基础上, 以统计方法 推导出孤立导体球表面充电电位时域表达式. 利用电位时域表达式推导出孤立导体球净电荷量时域表达式及静电场能量时域表达式. 以较低非极地地球轨道和较高地球同步轨道为例对孤立导体球电位、 净电荷量及静电场能量的时域特性进行了讨论, 分析了空间环境参数和导体球半径大小对表面充电的影响, 总结出等离子体环境下孤立导体表面充电时域特性规律.
关键词：
等离子体
孤立导体
表面带电
时域
|
| 关 键 词： | 等离子体 孤立导体 表面带电 时域 |
| 收稿时间： | 2013-03-09 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
