|
|||||
|
|
| Yb：YAG晶体的生长缺陷及位错走向 | |
| 引用本文： | 场培志 邓佩珍 等. Yb：YAG晶体的生长缺陷及位错走向[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(4): 399-403 |
| 作者姓名： | 场培志 邓佩珍 等 |
| 作者单位： | [1]中国科学院无机功能材料开放实验室中国科学院上海硅酸盐研究所，上海 [2]200050 |
| 摘 要： | 用同步辐射透射白光形貌和应力双折射法研究了沿（111）方向生长的Yb:YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向。Yb:YAG晶体中的生长缺陷主要有：生长条纹、核心和位错等。晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核。位错的走向垂直于生长界面，符合能量最低原理。采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错。 |
| 关 键 词： | Yb：YAG晶体 晶体生长缺陷 同步辐射形貌相 位错走向 |
| 修稿时间： | 2000-05-28 |
Study onGrowth Defects and Dislocation Propagation in Yb |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |