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| 用吸收差谱研究电子俘获材料的光激励发光 | |
| 作者姓名： | 孙力 王永生 何志毅 孟宪国 |
| 作者单位： | 北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京 100044 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（10274001）和北京交通大学论文基金资助项目 |
| 摘 要： | 以SrS:Eu, Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能给出与光激励谱相同的信息外,还包含空穴陷阱的激励,光存储总量等信息,因此有助于更全面地了解材料的光激励发光过程。 |
| 关 键 词： | 电子俘获材料 吸收光谱 光激励发光 |
| 文章编号： | 1000-0593（2005）11-1749-04 |
| 收稿时间： | 2004-06-06 |
| 修稿时间： | 2005-01-28 |
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