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Sb掺杂ZnSnO3透明导电薄膜:制备与性能
引用本文:储晓菲,贺蕴秋,李一鸣,黄河洲,刘德宇,陈慧敏,李文有.Sb掺杂ZnSnO3透明导电薄膜:制备与性能[J].无机化学学报,2013,29(18).
作者姓名:储晓菲  贺蕴秋  李一鸣  黄河洲  刘德宇  陈慧敏  李文有
作者单位:同济大学材料科学与工程学院, 上海 201800;同济大学材料科学与工程学院, 上海 201800;同济大学材料科学与工程学院, 上海 201800;同济大学材料科学与工程学院, 上海 201800;同济大学材料科学与工程学院, 上海 201800;同济大学材料科学与工程学院, 上海 201800;同济大学材料科学与工程学院, 上海 201800
基金项目:国家自然科学基金(No.51175162)资助项目。
摘    要:采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)和旋涂法制备了未掺杂的ZnSnO3薄膜和掺入不同物质的量的Sb的ZnSnO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、霍尔效应仪(Hall)以及紫外-可见光(UV-Vis)等表征了热处理后薄膜的晶相、微观形貌、晶格缺陷、电学性能以及紫外-可见光透过率。结果表明:所有薄膜都是ZnSnO3结构;与未掺Sb的ZnSnO3薄膜相比,掺入Sb后的ZnSnO3薄膜的电阻率都有不同程度的降低,其中掺入8mol%Sb的薄膜具有最低的电阻率0.96Ω·cm;缺陷研究表明:Sb的掺入使得晶格中的间隙锌离子含量增加,这有利于薄膜电阻率的降低;薄膜的紫外-可见光(UV-Vis)表明:在波长大于475nm的可见光范围内,掺入Sb的ZnSnO3薄膜的可见光透过率都在80%以上。

关 键 词:导电  透明  薄膜  溶胶-凝胶法
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