| 具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED |
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| 作者姓名： | 赵芳 张运炎 宋晶晶 丁彬彬 范广涵 |
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| 作者单位： | 1.华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广东 广州 510631 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61176043); 广东省战略性新兴产业专项资金(2010A081002005,2011A081301003); 广东省教育部产学研结合项目(2010B090400192)资助项目 |
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| 摘 要： | 对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaNLED进行了理论数值比对研究。研究结果表明,对于传统结构的LED而言,2个量子阱的结构相对于5个和7个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的LED,研究结果显示,三角形多量子阱结构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子-空穴波函数重叠率和低的Stark效应所产生的较高的载流子输入效率和复合发光效率。
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| 关 键 词： | 发光二极管 三角形量子阱 数值模拟 |
| 收稿时间： | 2012-09-05 |
| 修稿时间： | 2012-10-11 |
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