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| 退火温度对La_3Ga_5SiO_(14)薄膜结构及表面形貌的影响 | |
| 引用本文： | 张雯,王继扬,季振国,李红霞,娄垚.退火温度对La_3Ga_5SiO_(14)薄膜结构及表面形貌的影响[J].人工晶体学报,2010,39(3). |
| 作者姓名： | 张雯 王继扬 季振国 李红霞 娄垚 |
| 作者单位： | 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 2. 杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018 3. 浙江工业大学机械制造及自动化教育部重点实验室,杭州,310014 |
| 基金项目： | 浙江工业大学重中之重学科开放研究基金 |
| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La3Ga5SiO14薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。衬底温度为室温时生长的薄膜经过800℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构。衬底温度为400℃时生长的薄膜经过800℃退火处理后呈现无序的多晶形态。当退火温度进一步升高至1000℃时,XRD图谱显示薄膜由最初的(220)和(300)两个结晶方向转变为以(200)和(400)为主要取向的多晶结构。表面形貌分析表明:衬底温度为400℃时,随着退火温度的升高,薄膜颗粒尺寸逐渐增大,表面无裂纹,而衬底温度为室温时生长的薄膜退火后则出现大量的裂缝、孔洞等缺陷。 |
| 关 键 词： | La3Ga5SiO14薄膜 脉冲激光沉积 退火温度 微观结构 |
Effects of Annealing Temperature on the Structure and Surface Morphologyof La_3Ga_5SiO_(14) Thin Films |
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| ZHANG Wen,WANG Ji-yang,JI Zhen-guo,LI Hong-xia,LOU Yao.Effects of Annealing Temperature on the Structure and Surface Morphologyof La_3Ga_5SiO_(14) Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(3). | |
| Authors: | ZHANG Wen WANG Ji-yang JI Zhen-guo LI Hong-xia LOU Yao |
| Institution: | ZHANG Wen1,WANG Ji-yang1,JI Zhen-guo2,LI Hong-xia3,LOU Yao2(1.State Key Laboratory of Crystal Materials,Sh,ong University,Jinan 250100,China,2.School of Electronics , Information,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,3.Key Laboratory of Mechanical Manufacture , Automation,Ministry of Education,Zhejiang University of Technology,Hangzhou 310014,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | La3Ga5SiO14 thin film pulsed laser deposition annealing temperature microstructure |
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