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| 半导体不对称重混结中极子基态 | |
| 引用本文： | 胡佐文,江光佐.半导体不对称重混结中极子基态[J].教学与科技,1998,11(3):1-6. |
| 作者姓名： | 胡佐文 江光佐 |
| 作者单位： | [1]中国工程物理研究院职工工学院 [2]西南交通大学物理系 |
| 摘 要： | 研究不对称重混结中极子基态。用微扰法及中心层度函数计算极子的束缚能和有效质量。考虑到电子一声子的相互作用，我们既引入纵向光学又引入了声子界面，其结果与在对称重混结中的差异较大声子界面的贡献较在对称重混结中大且更宽。其原因是由于其结构的不对称性。 |
| 关 键 词： | 极子 不对称重混结 声子界面 半导体 |
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