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稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能
引用本文:费一汀,孙仁英,范世.稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能[J].人工晶体学报,1999,28(1):37-41.
作者姓名:费一汀  孙仁英  范世
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
基金项目:山东大学校科研和教改项目,,
摘    要:本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12晶体及Ce、Nd和Eu掺杂Bi4Si3O12晶体.测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发-发射光谱.总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性.

关 键 词:坩埚下降法  Bi4Si3O12及掺杂Bi4Si3O12晶体  透射光谱  光产额  激发-发射光谱  闪烁晶体  

Growth and Properties of Rare-earth(Ce,Nd and Eu)Doped Bi4Si3O12 Crystals
Fei Yiting,Sun Renying,Fan Shiji.Growth and Properties of Rare-earth(Ce,Nd and Eu)Doped Bi4Si3O12 Crystals[J].Journal of Synthetic Crystals,1999,28(1):37-41.
Authors:Fei Yiting  Sun Renying  Fan Shiji
Abstract:
Keywords:
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