低陡度光刻胶光栅槽形研究 |
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作者姓名: | 刘全 万华 吴建宏 陈新荣 李朝明 |
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作者单位: | 1.苏州大学 信息光学工程研究所,苏州,215006 |
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基金项目: | 国家863高技术研究与发展计划和苏州大学青年教师研究基金 |
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摘 要: | 为控制全息光刻胶光栅槽形,从研究显影时间、显影液温度等对光刻胶特性曲线的影响出发,采用计算机模拟和实验方法,制作出底部占宽比30%左右,陡度65°左右的低陡度光刻胶光栅掩模.研究发现:启动曝光量随显影时间的延长而减小,光刻胶特性曲线线性部分的斜率随着显影时间的增加而增加;显影液温度高的光刻胶启动曝光量大,其特性曲线线性部分的斜率也较大.这决定了制作低陡度光刻胶光栅掩模需要使用非1∶1的干涉曝光,以及必须采用较低温度的显影液进行显影处理.最终选用1∶7的干涉曝光和15℃的显影液.
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关 键 词: | 衍射光学 全息 光刻胶光栅掩模 槽形控制 |
收稿时间: | 2007-06-13 |
修稿时间: | 2007-08-15 |
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