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低陡度光刻胶光栅槽形研究
作者姓名:刘全  万华  吴建宏  陈新荣  李朝明
作者单位:1.苏州大学 信息光学工程研究所,苏州,215006
基金项目:国家863高技术研究与发展计划和苏州大学青年教师研究基金
摘    要:为控制全息光刻胶光栅槽形,从研究显影时间、显影液温度等对光刻胶特性曲线的影响出发,采用计算机模拟和实验方法,制作出底部占宽比30%左右,陡度65°左右的低陡度光刻胶光栅掩模.研究发现:启动曝光量随显影时间的延长而减小,光刻胶特性曲线线性部分的斜率随着显影时间的增加而增加;显影液温度高的光刻胶启动曝光量大,其特性曲线线性部分的斜率也较大.这决定了制作低陡度光刻胶光栅掩模需要使用非1∶1的干涉曝光,以及必须采用较低温度的显影液进行显影处理.最终选用1∶7的干涉曝光和15℃的显影液.

关 键 词:衍射光学  全息  光刻胶光栅掩模  槽形控制
收稿时间:2007-06-13
修稿时间:2007-08-15
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