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顶部籽晶法生长大尺寸CsLiB6O10晶体
引用本文:YU Xue-song,岳银超,HU Zhang-gui. 顶部籽晶法生长大尺寸CsLiB6O10晶体[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(4): 786-789
作者姓名:YU Xue-song  岳银超  HU Zhang-gui
作者单位:中国科学院理化技术研究所,北京,100190;中国科学院研究生院,北京,100039
基金项目:中国科学院百人计划 , 国家自然科学基金
摘    要:
以高纯硼酸、碳酸锂和碳酸铯为原料,摩尔比硼酸:碳酸锂:碳酸铯=11:1:1,采用顶部籽晶法,生长出尺寸为65 mm×22 mm×12 mm CsLiB6O10(CLBO)单晶,探讨了影响CLBO晶体生长的因素.对生长出的CLBO晶体的相关光学性质进行了研究.CLBO晶体的光学均匀性为3.6×10-5/cm,透过光谱表明该晶体的透光范围为185 nm到2790 nm,其紫外吸收边低于185 nm;用Maker干涉条纹测定了CLBO晶体的非线性光学系数为:d36(CLBO)=1.8d36(KDP).

关 键 词:CLBO  晶体生长  顶部籽晶法,

Growth of Large CsLiB6O10 Crystal by Top-seeded Solution Growth Method
YU Xue-song,YUE Yin-chao,HU Zhang-gui. Growth of Large CsLiB6O10 Crystal by Top-seeded Solution Growth Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(4): 786-789
Authors:YU Xue-song  YUE Yin-chao  HU Zhang-gui
Abstract:
Keywords:
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