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有限元分析法在SOI基微环谐振器设计中的应用
作者姓名:谢生  张彬  毛陆虹  郭维廉  陈燕  于欣  张世林
作者单位:1.天津大学 电子信息工程学院 天津,300072
基金项目:国家自然科学基金,天津大学青年教师培养基金 
摘    要:利用有限元法(FEM)分析了大横截面SOI(Silicon-on-insulator)脊型波导的本征模式分布,确定了脊型波导的单模条件。在保证单模传输的情况下,模拟了SOI微环谐振器中波导耦合器的耦合长度、功率耦合系数与波导尺寸和间距的关系。模拟结果表明:对于W=1μm,H=2μm的SOI脊型波导耦合器,耦合长度LC随波导间距d的增加而增大,功率耦合系数随之减小。在波导间距d<0.8μm的情况下,耦合长度LC随着归一化脊高r的增加而增大,当d>0.8μm时,耦合长度LCr的增加而减小。模拟结果为SOI微环谐振器的设计和应用提供了理论依据。



关 键 词:集成光学  微环谐振器  单模条件  波导耦合器
收稿时间:2009-09-02
修稿时间:2009-11-13
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