| InAs量子点的结构及光学性质研究 |
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| 作者姓名： | 孟宪权 张华刚 刘天志 |
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| 作者单位： | 1.武汉大学物理科学与技术学院;2.武汉大学物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(90101002) |
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| 摘 要： | 采用分子束外延技术在（001）GaAs衬底上生长了多层 InAs量子点,原子力显微镜观测了生长在表面的量子点,用透射电子显微镜观察到五层量子点截面像,傅立叶变换光谱仪测试量子点光致发光谱.原子力显微镜以及透射电镜观察结果表明:第一层量子点为椭圆状;上面四层为透镜状量子点,呈现明显的垂直对准,且量子点的密度下降,大小趋向一致.样品中有些位置不同层的量子点连成一线,其边缘存在应力.由于第一层量子点与其他四层量子点的大小、形状不同,导致量子点光致发光峰的半高宽增加.
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| 关 键 词： | 量子点 分子束外延 透射电子显微镜 光致发光 |
| 文章编号： | 1671-8836(2005)01-0047-04 |
| 修稿时间： | 2004-03-23 |
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