| MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究 |
| |
| 作者姓名： | 万凌云 莫春兰 彭学新 熊传兵 王立 江风益 |
| |
| 作者单位： | 1.南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,江西 南昌,330047 |
| |
| 基金项目： | 国家863计划新材料领域资助项目（715-001-0012） |
| |
| 摘 要： | 采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系.同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果.
|
| 关 键 词： | GaN MOCVD 透射光谱 X射线双晶衍射 PL谱 RBS/沟道 |
| 文章编号： | 1000-7032(2002)04-0352-05 |
| 收稿时间： | 2001-11-12 |
| 修稿时间： | 2001-11-12 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《发光学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《发光学报》下载全文 |
|
